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本文摘要:三星电子1月18日宣告,开始量产业内首款16Gb(2GB)容量的GDDR6RAM芯片。参数方面,三星回应,GDDR6的单芯片容量是上一代20nmGDDR5的两倍、速度也是两倍。 即16GbGDDR6的插槽比特率超过了18Gbps,合计可获取72GB/s的数据传输率。生产工艺上,三星只回应用于的是10nm级工艺(10nm~19nm),猜测有可能是14nm。另外一个GDDR6相比于GDDR5RAM的优势就是电压更加较低,从1.55V再降1.35V,三星称之为功耗不会减少35%。

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三星电子1月18日宣告,开始量产业内首款16Gb(2GB)容量的GDDR6RAM芯片。参数方面,三星回应,GDDR6的单芯片容量是上一代20nmGDDR5的两倍、速度也是两倍。

即16GbGDDR6的插槽比特率超过了18Gbps,合计可获取72GB/s的数据传输率。生产工艺上,三星只回应用于的是10nm级工艺(10nm~19nm),猜测有可能是14nm。另外一个GDDR6相比于GDDR5RAM的优势就是电压更加较低,从1.55V再降1.35V,三星称之为功耗不会减少35%。


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